ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Electron and Ion Optics

دانلود کتاب الکترون و یون اپتیک

Electron and Ion Optics

مشخصات کتاب

Electron and Ion Optics

ویرایش: 1 
نویسندگان:   
سری: Microdevices 
ISBN (شابک) : 9781461282471, 9781461309239 
ناشر: Springer US 
سال نشر: 1988 
تعداد صفحات: 549 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 13 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 30,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب الکترون و یون اپتیک: مهندسی برق، نوری و مواد الکترونیکی



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 8


در صورت تبدیل فایل کتاب Electron and Ion Optics به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب الکترون و یون اپتیک نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب الکترون و یون اپتیک



میدان نوری الکترون و یون بر اساس قیاس بین نور هندسی نوری و حرکت ذرات باردار در میدان های الکترومغناطیسی است. توسعه چشمگیر میکروسکوپ الکترونی به وضوح امکان تشکیل تصویر توسط ذرات باردار با طول موج بسیار کوتاهتر از نور مرئی را نشان می دهد. با ظهور کاربردهای جدید مانند شتاب‌دهنده‌های ذرات، لوله‌های پرتو کاتدی، طیف‌سنج‌های جرمی و انرژی، لوله‌های مایکروویو، ابزارهای تحلیلی از نوع اسکن، فناوری‌های پرتو سنگین و غیره، دامنه نوری پرتو ذرات به شکل‌گیری کاوشگرهای ظریف گسترش یافته است. . هدف این است که تا حد امکان ذرات را در حجم کوچکی که ممکن است متمرکز کنید. ساخت ریز مدارها نمونه خوبی از اهمیت روزافزون این رشته است. روند فعلی به سمت افزایش پیچیدگی مدار و چگالی الگو است. به دلیل محدودیت پراش فرآیندهای با استفاده از فوتون های نوری و مشکلات تکنولوژیکی مرتبط با فرآیندهای اشعه ایکس، پرتوهای ذرات باردار در حال محبوب شدن هستند. با آنها امکان نوشتن مستقیم روی ویفر تحت کنترل رایانه، بدون استفاده از ماسک وجود دارد. پرتوهای یون متمرکز امکانات بسیار خوبی را در ناحیه زیر میکرون ارائه می دهند. بنابراین، فناوری‌های پرتو الکترونی و یونی به احتمال زیاد در بیست سال آینده نقش بسیار مهمی ایفا خواهند کرد.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

The field of electron and ion optics is based on the analogy between geometrical light optics and the motion of charged particles in electromagnetic fields. The spectacular development of the electron microscope clearly shows the possibilities of image formation by charged particles of wavelength much shorter than that of visible light. As new applications such as particle accelerators, cathode ray tubes, mass and energy spectrometers, microwave tubes, scanning-type analytical instruments, heavy beam technologies, etc. emerged, the scope of particle beam optics has been exten­ ded to the formation of fine probes. The goal is to concentrate as many particles as possible in as small a volume as possible. Fabrication of microcircuits is a good example of the growing importance of this field. The current trend is towards increased circuit complexity and pattern density. Because of the diffraction limitation of processes using optical photons and the technological difficulties connected with x-ray processes, charged particle beams are becoming popular. With them it is possible to write directly on a wafer under computer control, without using a mask. Focused ion beams offer especially great possibilities in the submicron region. Therefore, electron and ion beam technologies will most probably playa very important role in the next twenty years or so.



فهرست مطالب

Front Matter....Pages i-xvi
Introductory Survey....Pages 1-12
Motion of Charged Particles in Electric and Magnetic Fields....Pages 13-50
Determination of Electric and Magnetic Fields....Pages 51-150
Focusing with Axially Symmetric Fields....Pages 151-206
The Theory of Aberrations....Pages 207-298
Numerical Techniques for Ray Tracing and Calculation of Aberrations....Pages 299-312
Electrostatic Lenses....Pages 313-393
Magnetic Lenses....Pages 395-421
Computer-Aided Optimization and Synthesis of Electron and Ion Lenses....Pages 423-460
Multipole Lenses....Pages 461-479
Beam Deflection....Pages 481-495
High-Intensity Beams....Pages 497-513
Back Matter....Pages 515-539




نظرات کاربران