ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب IDDQ Testing of VLSI Circuits

دانلود کتاب تست IDDQ مدارهای VLSI

IDDQ Testing of VLSI Circuits

مشخصات کتاب

IDDQ Testing of VLSI Circuits

ویرایش: 1 
نویسندگان: , , , ,   
سری:  
ISBN (شابک) : 9781461363774, 9781461531463 
ناشر: Springer US 
سال نشر: 1993 
تعداد صفحات: 120 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 11 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 51,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب تست IDDQ مدارهای VLSI: مهندسی به کمک کامپیوتر (CAD، CAE) و طراحی، مهندسی برق



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 10


در صورت تبدیل فایل کتاب IDDQ Testing of VLSI Circuits به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب تست IDDQ مدارهای VLSI نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب تست IDDQ مدارهای VLSI



نظارت بر جریان منبع تغذیه برای شناسایی نقص‌های CMOS IC در طول آزمایش تولید، ریشه‌های خود را در اواسط دهه 1970 بی‌سروصدا نشان داد. هر دو آزمایشگاه Sandia و RCA در ایالات متحده و آزمایشگاه فیلیپس در هلند این روش را روی آی سی های CMOS خود انجام دادند. در آن زمان، این عمل صرفاً از این حس شهودی ناشی می‌شد که IC‌های CMOS که جریان منبع تغذیه غیرعادی خاموش (IDDQ) را نشان می‌دهند دارای نقص هستند. بعداً، این شهود توسط داده ها و تجزیه و تحلیل در دهه 1980 توسط Levi (RACD، Malaiya و Su (SUNY-Binghamton)، Soden و Hawkins (Sandia Labs و دانشگاه نیومکزیکو)، Jacomino و همکاران (Laboratoire d') پشتیبانی شد. Automatique de Grenoble)، و مالی و همکارانش (دانشگاه کارنگی ملون). علاقه به آزمایش IDDQ فراتر از داده های گزارش شده در دهه 1980 پیشرفت کرده است و اکنون بر برنامه ها و ارزیابی هایی متمرکز شده است که شامل حجم بیشتری از آی سی هایی که کیفیت را فراتر از آنچه می توان با روش های معمول قبلی به دست آورد، بهبود می بخشد. در روش معمول آزمایش، سعی می شود حالت های منطقی گره های معلق به خروجی های اولیه منتشر شود. این کار برای همه یا بیشتر گره های مدار انجام می شود. برای مدارهای متوالی. به ویژه پیچیدگی یافتن تست های مناسب بسیار زیاد است.در مقایسه، تست IDDQ حالات منطقی را رعایت نمی کند، بلکه جریان یکپارچه ای را که از تمامی گیت ها نشت می کند، اندازه گیری می کند. مانند اندازهورین است g درجه حرارت بیمار برای تعیین وضعیت سلامتی. علی‌رغم مزایای درک شده، در طول سال‌های پس از اعلام اولیه آن، تردید در مورد عملی بودن تست IDDQ غالب شد. با این حال، این ایده فرصت بزرگی را در اختیار محققان قرار داد. نتایج جدیدی در مورد تولید آزمایش، شبیه‌سازی خطا، طراحی برای آزمایش‌پذیری، خودآزمایی داخلی و تشخیص برای این سبک از آزمایش گزارش شده است. پس از یک دهه تحقیق، قطعاً به تمرین نزدیک‌تر شده‌ایم.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Power supply current monitoring to detect CMOS IC defects during production testing quietly laid down its roots in the mid-1970s. Both Sandia Labs and RCA in the United States and Philips Labs in the Netherlands practiced this procedure on their CMOS ICs. At that time, this practice stemmed simply from an intuitive sense that CMOS ICs showing abnormal quiescent power supply current (IDDQ) contained defects. Later, this intuition was supported by data and analysis in the 1980s by Levi (RACD, Malaiya and Su (SUNY-Binghamton), Soden and Hawkins (Sandia Labs and the University of New Mexico), Jacomino and co-workers (Laboratoire d'Automatique de Grenoble), and Maly and co-workers (Carnegie Mellon University). Interest in IDDQ testing has advanced beyond the data reported in the 1980s and is now focused on applications and evaluations involving larger volumes of ICs that improve quality beyond what can be achieved by previous conventional means. In the conventional style of testing one attempts to propagate the logic states of the suspended nodes to primary outputs. This is done for all or most nodes of the circuit. For sequential circuits, in particular, the complexity of finding suitable tests is very high. In comparison, the IDDQ test does not observe the logic states, but measures the integrated current that leaks through all gates. In other words, it is like measuring a patient's temperature to determine the state of health. Despite perceived advantages, during the years that followed its initial announcements, skepticism about the practicality of IDDQ testing prevailed. The idea, however, provided a great opportunity to researchers. New results on test generation, fault simulation, design for testability, built-in self-test, and diagnosis for this style of testing have since been reported. After a decade of research, we are definitely closer to practice.



فهرست مطالب

Front Matter....Pages i-3
I DDQ Testing: A Review....Pages 5-17
I DDQ Testing as a Component of a Test Suite: The Need for Several Fault Coverage Metrics....Pages 19-30
I DDQ Testing in CMOS Digital ASICs....Pages 31-39
Reliability Benefits of I DDQ ....Pages 41-49
Quiescent Current Analysis and Experimentation of Defective CMOS Circuits....Pages 51-62
QUIETEST: A Methodology for Selecting I DDQ Test Vectors....Pages 63-71
Generation and Evaluation of Current and Logic Tests for Switch-Level Sequential Circuits....Pages 73-80
Diagnosis of Leakage Faults with I DDQ ....Pages 81-89
Algorithms for I DDQ Measurement Based Diagnosis of Bridging Faults....Pages 91-99
Proportional BIC Sensor for Current Testing....Pages 101-110
Design of ICs Applying Built-in Current Testing....Pages 111-120
Back Matter....Pages 121-124




نظرات کاربران