Silicon-Based Millimeter-Wave Devices

دستگاه‌های موج میلی‌متری مبتنی بر سیلیکون روش‌های نظری میدانی را برای طراحی و آنالیز ساختارها و آنتن‌های موجبر مسطح توصیف می‌کنند. اصول و محدودیت‌های دستگاه‌های زمان عبور با مکانیسم‌های تزریق مختلف، و همچنین جنبه‌های ساخت و خصوصیات مورد بحث قرار می‌گیرند. خواص فیزیکی کنتاکت ها و دیودهای شاتکی سیلیکون در فصلی جداگانه بررسی شده است. دو فصل دستگاه‌های سیلیکون/ژرمانیوم را پوشش می‌دهند: فیزیک و خواص RF ترانزیستورهای دوقطبی و دستگاه‌های اثر کوانتومی مانند عنصر تونل زنی تشدید توضیح داده شده‌اند. ادغام دستگاه ها در مدارهای یکپارچه توضیح داده شده و فناوری های پیشرفته همراه با عملکرد نوسانگر خود اختلاط ارائه شده است. در نهایت حسگرها و برنامه های کاربردی سیستم در نظر گرفته می شوند.

Silicon-Based Millimeter-Wave Devices describes field-theoretical methods for the design and analysis of planar waveguide structures and antennas. The principles and limitations of transit-time devices with different injection mechanisms are discussed, as are aspects of fabrication and characterization. The physical properties of silicon Schottky contacts and diodes are treated in a separate chapter. Two chapters cover the silicon/germanium devices: physics and RF properties of the heterobipolar transistor and quantum effect devices such as the resonant tunneling element are described. The integration of devices in monolithic circuits is explained and advanced technologies are presented along with the self-mixing oscillator operation. Finally sensor and system applications are considered.