Physical Chemistry of, in and on Silicon

هدف این کتاب دو چیز است: این کتاب برای استفاده به عنوان یک کتاب درسی برای درس مواد الکترونیکی در نظر گرفته شده است (در واقع، این کتاب از مجموعه ای از سخنرانی ها در مورد این موضوع در پلی تکنیک میلان و در دانشگاه های مودنا و مودنا نشات می گیرد. Parma)، و به عنوان یک بررسی به روز برای دانشمندانی که در زمینه ::>f پردازش سیلیکون کار می کنند. اگرچه تعدادی از کارها در مورد سیلیکون در حال حاضر در دسترس است، حجم وسیعی از داده های موجود و جدید در مورد ویژگی های سیلیکون به اندازه کافی در یک گزارش جامع خلاصه نمی شود. جلد حاضر برای پر کردن این شکاف در نظر گرفته شده است. بیشتر نمونه‌هایی که به آنها پرداخته می‌شود، از تجربیات روزانه نویسندگان گرفته شده‌اند، این انتخاب صرفاً به دلیل شناخت بیشتر آنها از این حوزه‌ها دیکته شده است. جنبه های خاصی از فیزیک سیلیکون گنجانده نشده است. این به این دلیل است که آنها در کتاب های درسی استاندارد مورد بررسی قرار گرفته اند (مانند نیمه هادی ناهمگن دوپ شده و شیمی حکاکی آبی همسانگرد یا ترجیحی سیلیکون)، یا به این دلیل که هنوز در یک فاز به سرعت در حال تکامل هستند (مثلاً مهندسی شکاف سیلیکونی، تولید). -پدیده های نوترکیبی، خواص برودتی و شیمی اچینگ پلاسما). مطابق با رویه استاندارد در میکروالکترونیک، واحدهای CGS برای کمیت‌های مکانیکی و حرارتی و واحدهای SI برای کمیت‌های الکتریکی استفاده خواهند شد. تمام انرژی های اتمی بر حسب الکترون ولت داده می شود و آنگستروم واحد طول مورد استفاده برای پدیده های اتمی خواهد بود.

The aim of this book is twofold: it is intended for use as a textbook for a ~ourse on electronic materials (indeed, it stems from a series of lectures on this topic delivered at Milan Polytechnic and at the universities of Modena and Parma), and as an up-to-date review for scientists working in the field ::>f silicon processing. Although a number of works on silicon are already available, the vast amount of existing and new data on silicon properties are nowhere adequately summarized in a single comprehensive report. The present volume is intended to fill this gap. Most of the examples dealt with are taken from the authors' every­ day experience, this choice being dictated merely by their greater knowl­ edge of these areas. Certain aspects of the physics of silicon have not been included; this is either because they have been treated in standard textbooks (e.g. the inhomogeneously doped semiconductor and the chem­ istry of isotropic or preferential aqueous etching of silicon), or because they are still in a rapidly evolving phase (e.g. silicon band-gap engineering, generation-recombination phenomena, cryogenic properties and the chem­ istry of plasma etching). In line with the standard practice in microelectronics, CGS units will be used for mechanical and thermal quantities, and SI units for electrical quan­ tities. All atomic energies will be given in electronvolts and the angstrom will be the unit of length used for atomic phenomena.