ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Electronic Structure of Semiconductor Heterojunctions

دانلود کتاب ساختار الکترونیکی اتصالات ناهمگون نیمه هادی

Electronic Structure of Semiconductor Heterojunctions

مشخصات کتاب

Electronic Structure of Semiconductor Heterojunctions

ویرایش: 1 
نویسندگان: ,   
سری: Perspectives in Condensed Matter Physics 1 
ISBN (شابک) : 9789027728241, 9789400930735 
ناشر: Springer Netherlands 
سال نشر: 1988 
تعداد صفحات: 347 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 20 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 40,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب ساختار الکترونیکی اتصالات ناهمگون نیمه هادی: فیزیک حالت جامد، طیف‌سنجی و میکروسکوپ، سطوح و واسط‌ها، لایه‌های نازک، فیزیک ماده متراکم



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 15


در صورت تبدیل فایل کتاب Electronic Structure of Semiconductor Heterojunctions به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب ساختار الکترونیکی اتصالات ناهمگون نیمه هادی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب ساختار الکترونیکی اتصالات ناهمگون نیمه هادی

اگر دلیل واقعی نبود Per piti e piti autori, che sa,ra. nno از بسیاری از نویسندگانی که Per i miei versi nominati altrove خواهند بود، در جاهای دیگر در قافیه من نام برده شده است. ، از ترس ehe non fosse do. altri casso e van 0; که مطرود و در باطل خواهند بود. مالا لر کیارا. ورا esperienza اما تجربه واضح و واقعی این نویسندگان Mi assicura. nel dir, come persone من را تشویق به گزارش می کند، زیرا آنها Degne di fede ad ogni gra. n sentenza. همیشه باید به حرفشان اعتماد کرد. [از «Dittamondo»، توسط Fazio degli UbertiJ Heterojunction رابط‌ها، رابط‌های بین مواد نیمه‌رسانای مختلف، بیش از ربع قرن به‌طور گسترده مورد بررسی قرار گرفته‌اند. توجیه این تلاش روشن است - این رابط ها می توانند به بلوک های سازنده دستگاه های جدید حالت جامد تبدیل شوند. سایر رابط‌های مربوط به نیمه‌هادی‌ها به‌طور گسترده در فناوری مورد استفاده قرار می‌گیرند، به عنوان مثال، اتصالات فلز-نیمه رسانا و عایق-نیمه هادی و اتصالات hOll1. در مقایسه، کاربردهای حاضر از heterojunction int. چهره‌ها محدود هستند، اما به طور بالقوه می‌توانند به‌طور بالقوه در نسخه‌های بعدی استفاده شوند. در آینده نزدیک مسیر استفاده گسترده از هتروجانکشن ها با موانع متعددی مسدود شده است.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

E se non che di cid son vere prove A nd were it not for the true evidence Per piti e piti autori, che sa,ra. nno Of many authors who will be Per i miei versi nominati altrove, Mentioned elsewhere in my rhyme Non presterei alla penna 10. mana I would not lend my hand to the pen Per nota1' cid ch'io vidi, can temenza And describe my observations, for fear ehe non fosse do. altri casso e van 0; That they would be rejected and in vane; Mala lor chiara. e vera. esperienza But these authors' clear and true experience Mi assicura. nel dir, come persone Encourages me to report, since they Degne di fede ad ogni gra. n sentenza. Should always be trusted for their word. [From" Dittamondo", by Fazio degli UbertiJ Heterojunction interfaces, the interfaces between different semiconducting materi­ als, have been extensively explored for over a quarter of a century. The justifica­ tion for this effort is clear - these interfaces could become the building blocks of lllany novel solid-state devices. Other interfaces involving semiconductors are al­ ready widely used in technology, These are, for example, metal-semiconductor and insulator-semiconductor junctions and hOll1ojunctions. In comparison, the present applications of heterojunction int. erfaces are limited, but they could potentially becOlne lnuch lllore ext. ensive in the neal' future. The path towards the widespread use of heterojunctions is obstructed by several obstacles.



فهرست مطالب

Front Matter....Pages I-XII
Front Matter....Pages XIII-XIII
Introduction....Pages 1-31
Front Matter....Pages 33-33
Experiments on Ge-GaAs Heterojunctions....Pages 35-48
Growth of Microstructures by Molecular Beam Epitaxy....Pages 49-55
A Bird’s-Eye View on the Evolution of Semiconductor Superlattices and Quantum Wells....Pages 56-69
Compositionally Graded Semiconductors and their Device Applications....Pages 70-98
Resonant Tunneling Through Double Barriers, Perpendicular Quantum Transport Phenomena in Superlattices, and Their Device Applications....Pages 99-115
Heterostructure Devices: A Device Physicist Looks at Interfaces....Pages 116-149
Direct observation of effective mass filtering in InGaAs/lnP superlattices....Pages 150-152
Angle-resolved photoemission measurements of band discontinuities in the GaAs-Ge heterojunction....Pages 153-156
Ge—GaAs(110) interface formation....Pages 157-162
Observation of the Orientation Dependence of Interface Dipole Energies in Ge-GaAs....Pages 163-166
Internal Photoemission in GaAs/(Al x Ga 1−x )As Heterostructures....Pages 167-172
Quantum States of Confined Carriers in Very Thin Al x Ga 1-x As-GaAs-Al x Ga 1-x As Heterostructures....Pages 173-176
Schottky barriers: An effective work function model....Pages 177-179
Defective Heterojunction Models....Pages 180-192
Heterojunctions: Definite breakdown of the electron affinity rule....Pages 193-195
Parabolic quantum wells with the GaAs-Al x Ga 1−x As system....Pages 196-199
Role of d Orbitals in Valence-Band Offsets of Common-Anion Semiconductors....Pages 200-203
Common-anion rule and its limits: Photoemission studies of CuIn x Ga 1 − x Se 2 -Ge and Cu x Ag 1 − x InSe 2 -Ge interfaces....Pages 204-207
Elementary theory of heterojunctions....Pages 208-213
Front Matter....Pages 33-33
Schottky Barrier Heights and the Continuum of Gap States....Pages 214-217
Theory of semiconductor heterojunctions: The role of quantum dipoles....Pages 218-221
Comment on “Theory of semiconductor heterojunctions: The role of quantum dipoles”....Pages 222-223
Tight-binding theory of heterojunction band lineups and interface dipoles....Pages 224-229
Energy barriers and interface states at heterojunctions....Pages 230-248
Acoustic deformation potentials and heterostructure band offsets in semiconductors....Pages 249-261
Self-consistent electronic structure of (110) Ge-ZnSe....Pages 262-267
Theoretical study of band offsets at semiconductor interfaces....Pages 268-279
Interface phenomena at semiconductor heterojunctions: Local-Density valence-band offset in GaAs/AlAs....Pages 280-283
A universal trend in the binding energies of deep impurities in semiconductors....Pages 284-286
Semiconductor Heterojunction Interfaces: Nontransitivity of Energy-band Discontiuities....Pages 287-290
Microscopic study of semiconductor heterojunctions: Photoemission measurement of the valance-band discontinuity and of the potential barriers....Pages 291-303
Understanding and controlling heterojunction band discontinuities....Pages 304-306
Role of Virtual Gap States and Defects in Metal-Semiconductor Contacts....Pages 307-310
Pressure Dependence of Band Offsets in an InAs-GaSb Superlattice....Pages 311-314
Tunable barrier heights and band discontinuities via doping interface dipoles: An interface engineering technique and its device applications....Pages 315-321
Heterojunction band discontinuity control by ultrathin intralayers....Pages 322-324
Dipole-Induced Changes of the Band Discontinuities at the SiO 2 -Si Interface....Pages 325-328
Back Matter....Pages 329-338




نظرات کاربران

تمامی حقوق معنوی و مادی وبسایت متعلق به اینترنشنال لایبرری می باشد
نماد اعتماد الکترونیکی