Heavily Doped Semiconductors

اخیراً، افزایش قابل توجهی از علاقه به نیمه هادی های دوپینگ شدید وجود داشته است. این علاقه در درجه اول به دلیل گسترش دامنه کاربردهای چنین است. مواد. علاوه بر این، دوپینگ سنگین نیمه هادی ها اثرات جدیدی ایجاد می کند (تشکیل سنگدانه های ناخالصی، ظهور حالت های مجاز در نوار ممنوعه، و غیره J، که در فیزیک حالت جامد بسیار مورد توجه هستند. رشد سریع تعداد کاغذها). در مورد نیمه هادی های به شدت دوپینگ، بررسی نتایج به دست آمده تا کنون دشوار می شود.بنابراین، بسیاری از تحقیقات انجام شده در سال های 1966-1966، به ویژه آن هایی که بر روی نیمه هادی های AIIIBV انجام شده است، در مونوگراف حاضر که بیانگر وضعیت دانش در سال 1965 است، بحث نشده است. با این وجود، نویسنده امیدوار است که با وجود این، کتاب مفید واقع شود.سعی می‌شود ابتدا بررسی‌های مربوط به نیمه‌هادی‌های دوپینگ شدید از دیدگاه خاصی بررسی شود و ثانیاً ایده‌هایی ارائه شود (فصل 5). ) که ممکن است بحث برانگیز باشد اما هدف آنها تحریک مطالعات بیشتر در مورد نیمه هادی های به شدت دوپ شده است که می تواند به عنوان یک مورد خاص از سیستم های از کار افتاده در نظر گرفته شود. 1. Pan kove، R. N. Hall، R. A. Logan، W. G. Spitzer، F. A. Trumbore و بسیاری دیگر، برای محققان شوروی شناخته شده است. برای من خوشحالم که یاد بگیرم که خوانندگان غربی اکنون فرصتی برای آشنایی با کارهای انجام شده در اتحاد جماهیر شوروی خواهند داشت.

Recently, there has been a considerable upsurge of interest in heavily doped semiconductors. This interest is due primarily to the expanding range of applications of such. materials. Moreover, the heavy doping of semiconductors produces new effects (the forma­ tion of impurity aggregates, the appearance of allowed states in the forbidden band, etc J, which are of great interest in solid-state physics. The rapid growth in the number of papers on heavily doped semiconductors makes it difficult to review the results obtained so far. Therefore, many investigations carried out in 1966-7, par­ ticularly those on AIIIBV semiconductors, are not discussed in the present monograph, which represents the state of the knowledge in 1965. Nevertheless, the author hopes that, in spite of this, the book will be useful. An attempt is made, first, to review investigations of heavily doped semiconductors from a certain viewpoint and, sec­ ondly, to suggest some ideas (Chap. 5) which may be controversial but which are intended to stimulate further studies of heavily doped semiconductors which can be regarded as a special case of dis­ ordered systems. The work of American scientists investigating heavily doped semiconductors, in particular the efforts of E. O. Kane, J. 1. Pan­ kove, R. N. Hall, R. A. Logan, W. G. Spitzer, F. A. Trumbore, and many others, is well known to Soviet investigators. It gives me pleasure to learn that Western readers will now have an - v vi PREFACE portunity to become acquainted with the work done in the USSR.